金屬摻雜多孔硅薄膜的制備及熒光光譜研究

用電化學方法對多孔硅薄膜進行了金屬摻雜.用熒光分光光度計分析了樣品的光致發光特性,結果表明,適量的金屬摻雜增強了多孔硅的紅光發射,氧化性金屬摻雜還增強了多孔硅的藍光發射,還原性金屬摻雜卻無此現象.紅外吸收譜表明,金屬摻雜多孔硅后Si-O-Si鍵振動增強.XRD譜表明,氧化性金屬摻雜后多孔硅的無定形程度增強.對分析結果的解釋為:紅光增強是金屬摻雜引入新的缺陷和硅、氧、金屬間新的鍵態Si-Metal,Metal-O,Metal-Metal所致,而藍光增強是無定形程度增強,應力增大和進一步氧化所致.

作 者： 孫小菁 馬書懿 魏晉軍 徐小麗 SUN Xiao-jing MA Shu-yi WEI Jin-jun XU Xiao-li   作者單位： 西北師范大學,物理與電子工程學院,甘肅,蘭州,730070  刊 名： 西北師范大學學報（自然科學版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NORTHWEST NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 43(6)  分類號： O469 TB383  關鍵詞： 金屬摻雜多孔硅   電化學   光致發光   X射線衍射   紅外吸收  

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