多孔硅鍺的制備及其近紅外發(fā)光增強(qiáng)

用激光照射輔助電化學(xué)刻蝕硅鍺合金樣品能夠形成多種低維納米結(jié)構(gòu).在硅鍺合金上形成的多孔狀結(jié)構(gòu)在波長為725 nm處有很強(qiáng)的光致發(fā)光(PL)峰,PL的增強(qiáng)效應(yīng)不能單獨用量子受限模型來解釋.我們提出新的模型來解釋這種低維納米結(jié)構(gòu)的PL增強(qiáng)效應(yīng).

作 者： 吳克躍 黃偉其 許麗 WU Ke-yue HUANG Wei-qi XU Li   作者單位： 貴州大學(xué)理學(xué)院,物理系,光電子技術(shù)與應(yīng)用重點實驗室,貴州,貴陽,550025  刊 名： 發(fā)光學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O482.31  關(guān)鍵詞： 多孔硅鍺   低維納米結(jié)構(gòu)   PL增強(qiáng)   界面態(tài)  

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