蒸發速率對Si襯底上SSMBE外延SiC薄膜的影響

采用固源分子束外延(SSMBE)生長技術,用不同的蒸發速率,在Si(111)襯底上生長SiC薄膜.利用反射式高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)等實驗技術,對生長的樣品的形貌和結構進行研究.結果表明,在優化的蒸發速率(1.0 nm·min-1)下,所生長的薄膜質量最好.低的蒸發速率(0.25 nm·min-1)難以抑制孔洞的形成,襯底的Si原子可通過這些孔洞擴散到樣品表面,導致結晶質量變差.在高的蒸發速率(1.8 nm·min-1)下,以島狀方式生長甚至以團簇聚集,表面的原子難以遷移到最佳取向的平衡位置,導致樣品表面粗糙度變大,薄膜的結晶質量變差,甚至出現多晶.

作 者： 劉忠良 劉金鋒 任鵬 徐彭壽   作者單位： 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室,合肥,230029  刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2008 28(4)  分類號： O484 TN304  關鍵詞： 蒸發速率   碳化硅   硅襯底   固源分子束外延  

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