生長溫度和表面增原子對外延薄膜中失配位錯形成的影響

用分子動力學方法模擬了三維外延鋁薄膜晶體中溫度和表面增原子對失配位錯形成的影響,采用的原子間相互作用勢是嵌入原子法(EAM)多體勢.模擬再現了薄膜中位錯形成過程,結果分析表明:較高的溫度和表面增原子團存在對薄膜中失配位錯形成都有促進或誘發作用;模擬中觀察到兩種不同的位錯形核過程:一種是經歷多余半原子面擠出過程而直接得到一個全位錯,另一種是先形成由兩個部分位錯夾著一片層錯的擴展位錯,之后才得到全位錯,這兩個位錯的伯格斯矢量都是與失配方向平行的刃型位錯.

作 者： 潘華清 周耐根 周浪 PAN Hua-qing ZHOU Nai-gen ZHOU Lang   作者單位： 南昌大學,材料科學與工程學院,江西,南昌,330031  刊 名： 南昌大學學報（理科版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 31(5)  分類號： O411.3  關鍵詞： 外延   薄膜   表面增原子   失配位錯   分子動力學  

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