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光子晶體缺陷模的偏振特性研究
為了了解光波在一維光子晶體的傳輸特性,利用傳輸矩陣方法進行了數值模擬,并研究了缺陷層厚度對缺陷模偏振特性的影響.結果表明,入射角的變化對光子晶體的禁帶及缺陷模影響較大,它們都隨入射角的增大向高頻(短波)方向移動,s偏振的禁帶寬度逐漸增寬而p偏振的禁帶寬度變化不明顯,p偏振的缺陷模頻移較s偏振的稍大.隨著入射角的增大,s偏振的缺陷模越來越細、品質因子逐漸增大,而p偏振的缺陷模變化趨勢則剛好相反.
是度芳,SHI Du-fang(江蘇工業學院,信息科學系,常州,213016;華中科技大學,物理系,武漢,430074)
刊 名： 激光技術 ISTIC PKU 英文刊名： LASER TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 31(3) 分類號： O734 關鍵詞： 物理光學 光子晶體 傳輸矩陣 缺陷模 偏振態【光子晶體缺陷模的偏振特性研究】相關文章：
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