摻鑭鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究

采用基于密度泛函理論的相對論性離散變分和嵌入團簇方法計算了摻鑭PbWO4晶體中相對缺陷的電子態密度分布,并討論了相關缺陷的電荷補償機制.發現VPb是摻鑭鎢酸鉛晶體中主要的電荷補償方式.缺陷態LaPb+VPb的態密度分布以及其激發能的計算結果表明:摻鑭晶體不會引起420nm和350nm的吸收,改善了PbWO4晶體中的兩個本征吸收帶.摻雜后晶體中O2p→W5d的躍遷能量為3.98eV.

作 者： 姚明珍 顧牡   作者單位： 同濟大學物理系,上海,200092  刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(5)  分類號： O77  關鍵詞： La:PbWO4   密度泛函   吸收中心   態密度分布  

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