東西方面孔異族效應機理的電生理學證據

采取事件相關電位方法研究東西方面孔記憶編碼的差異(DM效應),從而闡明異族效應的神經機制.14名被試學習和再認東西方面孔照片的實驗結果表明,無論記住與否,西方面孔產生的早期成分(潛伏期70～220ms)在頭皮額部有一個比東方面孔更為正向的變化,表明在此階段更多的資源分配于異族面孔,支持異族效應產生的特征選擇假說.無論東方面孔還是西方面孔,記住與未記住相比較,則在額部和頂部產生潛伏期在晚期正成分(LPC)范圍的正走向變化,但西方面孔在240～320ms潛伏期范圍內,DM效應較小.另外,東方面孔在枕部誘發(fā)出一個明顯的負波N260,而西方面孔產生的N260很小甚至沒有,反映了大腦對不同種族面孔的編碼機制有所不同,因而可能被稱為"種族特異波".

作 者： 彭小虎 羅躍嘉 衛(wèi)星 王國鋒 魏景漢   作者單位： 中國科學院心理研究所心理健康重點實驗室,北京,100101  刊 名： 心理學報  ISTIC PKU CSSCI 英文刊名： ACTA PSYCHOLOGICA SINICA  年，卷(期)： 2003 35(1)  分類號： B842.2  關鍵詞： 事件相關電位   異族效應   DM效應   記憶  

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