升華法生長大直徑的SiC單晶

采用高純Si粉和C粉在適宜的溫度和壓力下合成了多晶SiC粉末,在此基礎上采用升華法在低壓高溫下條件下生長了大直徑6H-SiC單晶,并根據熱力學理論分析了SiC的分解.結果表明,在2 300℃附近的生長溫度下,Si,Si2C,SiC2是Si-C熱力學平衡下的主要物種,其平衡分壓比同組分的SiC物種高出3個量級,因而是升華過程中的主要物種,其質量傳輸過程直接決定SiC的生長.另外,采用光學顯微鏡觀察SiC單晶中的生長缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹體是微管缺陷的重要來源,而調制摻氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基礎上調整生長參數,生長出了高質量的6H-SiC單晶.

作 者： 李娟 胡小波 王麗 李現祥 韓榮江 董捷 姜守振 徐現剛 王繼揚 蔣民華   作者單位： 山東大學,晶體材料國家重點實驗室,濟南,250100  刊 名： 中國有色金屬學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS  年，卷(期)： 2004 14(z1)  分類號：   關鍵詞： 升華法   SiC   微管  

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