垂直堆垛InAs量子點的光學性質

垂直堆跺InAs量子點是用分子束外延(MBE),通過Stranski-Krastanov(S-K)方式生長.利用光致發光(PL)實驗對InAs量子點進行了表征.在生長過程中使用對形狀尺寸控制的方式來提高垂直堆垛InAs量子點形貌均勻性.樣品的外延結構是Si摻雜GaAs襯底生長500nm的過渡層,500nm的GaAs外延層,15nm的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,5個周期的InAs量子點生長后2單層GaAs的外延結構,50 nh的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,最后是15 m的GaAs覆蓋層.外延結構中Al0.5Ga0.5As勢壘外延層對鑲嵌在里面的InAs量子點有很強的量子限制作用產生量子效應.PL測量系統使用514.5 nn的缸離子激發源.發現了量子點基態光致發光峰等距離向紅外方向劈裂等新的物理現象.利用光致發光通過改變勢壘的寬度和摻雜情況,研究了外延結構的光致發光特性,得到二維電子氣(2DEG)隨勢能變化局域化加強等的新結果.

作 者： 李樹瑋 小池一步   作者單位： 李樹瑋(中山大學光電材料與技術國家重點實驗室,廣東,廣州,510275)

小池一步(大阪工業大學新材料研究中心,大阪旭區大宮,535-8585,日本) 

刊 名： 中國激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2004 31(z1)  分類號： O472+.3  關鍵詞： 半導體材料   光致發光   垂直堆垛的InAs量子點   分子束外延(MBE)  

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