AP-CVD法制備的二氧化鈦薄膜結構及親水性研究

基于實現在線鍍膜的目的,研究了以TiCl4為鈦源,用AP-CVD法在玻璃基板上制備TiO2薄膜的工藝.利用掃描電子顯微(SEM)技術和X射線衍射(XRD)技術,研究了不同基板反應溫度下薄膜的表面形貌和晶體結構,分析了表面形貌和結構對親水性的影響.結果表明通過改變反應溫度可以控制銳鈦礦和金紅石的相對量,薄膜的親水性和表面形貌、粗糙度有密切的關系.

作 者：   作者單位：   刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2004 24(z1)  分類號： O484.4  關鍵詞： 二氧化鈦薄膜   AP-CVD   親水性   TiCl4  

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