ZnO納米線陣列的定向生長、光致發光及場發射性能

采用光刻和脈沖準分子激光沉積技術在Si襯底上制備了圖形化的ZnO種子層薄膜.分別采用氣相輸運和水熱合成法,制備了最小單元為30 μm的圖形化的垂直定向生長的ZnO納米線陣列.X射線衍射(XRD)分析顯示ZnO納米線陣列具有高度的c軸[001]擇優取向生長特性.從掃描電子顯微鏡( SEM )照片看出,陣列圖形完整清晰,邊緣整齊.納米線陣列室溫下光致發光(PL)譜線中在380 nm左右具有強烈的紫外發射峰,可見光區域發射峰得到了抑制,證明ZnO納米線缺陷少,晶體質量高.場致電子發射測量表明,ZnO納米線陣列開啟電場和閾值電場分別為2.3,4.2 V/μm,具有較好的場致電子發射性能.

作 者： 方國家 王明軍 劉逆霜 李春 艾磊 李軍 趙興中 FANG Guo-jia WANG Ming-jun LIU Ni-shuang LI Chun AI Lei LI Jun ZHAO Xing-zhong   作者單位： 方國家,FANG Guo-jia(武漢大學物理科學與技術學院,聲光材料與器件教育部重點實驗室,湖北,武漢,430072;中國科學院,傳感技術聯合國家重點實驗室,上海,200050)

王明軍,劉逆霜,李春,艾磊,李軍,趙興中,WANG Ming-jun,LIU Ni-shuang,LI Chun,AI Lei,LI Jun,ZHAO Xing-zhong(武漢大學物理科學與技術學院,聲光材料與器件教育部重點實驗室,湖北,武漢,430072) 

刊 名： 發光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O0482.31 TN873.95  關鍵詞： ZnO納米線陣列   光致發光   場致電子發射  

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