X射線不同方向入射界面產生劑量增強的模擬研究

為了研究X射線入射方向對界面劑量增強的影響,通過建立一個典型的金/硅界面結構模型,采用MCNP蒙卡計算程序計算50keV能量X射線以不同的方向入射界面時在規定的區域內產生的能量沉積,進而得到劑量增強系數.

作 者： 牟維兵 徐曦 MU Wei-bing XU Xi   作者單位： 中國工程物理研究院電子工程研究所,四川綿陽,621900  刊 名： 核電子學與探測技術  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2008 28(2)  分類號： O571.4 TN47  關鍵詞： X射線   金/硅界面   劑量增強  

【X射線不同方向入射界面產生劑量增強的模擬研究】相關文章：

紫外超短脈沖激光輻照固體靶產生硬X射線研究04-27

X射線脈沖星導航定位技術研究04-27

高能X射線的硬化校正04-27

同步輻射(軟X射線)輻照玉米的細胞學效應研究04-27

大中專入校新生X射線胸透檢查致工作人員輻射劑量的調查04-25

低能粒子與X射線在碳納米管(繩)內傳輸研究的現狀04-26

單顆粒大氣氣溶膠的同步輻射微束X射線研究04-27

粉晶X射線衍射在礦物巖石學研究中的應用04-26

名人故事：倫琴發現X射線的故事10-23

不同火源位置對煙熏痕跡影響的FDS模擬研究04-26