表面修飾納米CdS制備中兩個(gè)重要影響因素及結(jié)構(gòu)表征

利用溶膠-凝膠法制備了PVP表面修飾的CdS納米晶粒.考察了影響納米CdS制備的兩個(gè)重要因素Cd2+/S2-和PVP,及其作用機(jī)理.確證表面過剩S2-和PVP在反應(yīng)體系中的作用是在較高濃度下制備納米CdS的兩個(gè)重要因素,進(jìn)一步確定了PVP的最佳用量.通過TEM、ED、xRD、FT-IR等手段對合成的納米粒子進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征,最小粒徑為7～10nm,閃鋅礦構(gòu)型,粒子大小及形貌可通過改變Cd2+/S2-及反應(yīng)物濃度來控制.最后給出了CdS/PVP納米晶粒的結(jié)構(gòu)模型.

作 者： 曹維良 張凱華 張敬暢   作者單位： 北京化工大學(xué)理學(xué)院,北京,100029  刊 名： 無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY  年，卷(期)： 2002 18(10)  分類號(hào)： O614.24+2 O613.51  關(guān)鍵詞： 納米CdS Cd2+/S2- PVP  

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