CMTD晶體(001)面的表面形貌觀測及其結(jié)晶形態(tài)研究

用倒置相差顯微鏡觀察了CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)晶體結(jié)晶過程的形態(tài)變化.同時用原子力顯微鏡(AFM)對CMTD的(001)面進(jìn)行形貌觀察,測得的初級臺階高度為1.411nm,是晶胞參數(shù)c的一半,發(fā)現(xiàn)了螺旋生長丘及缺陷,并對生長丘的中心孔芯作了初步分析,討論了CMTD晶體所特有的"樹杈狀"和"一字形"缺陷及形成機(jī)理.

作 者： 王坤鵬 孫大亮 郭世義 蘇靜   作者單位： 王坤鵬,孫大亮,郭世義(山東大學(xué),晶體材料國家重點實驗室,山東,濟(jì)南,250100)

蘇靜(山東大學(xué),晶體材料國家重點實驗室,山東,濟(jì)南,250100;中科院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所,安徽,合肥,230031) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分類號： O793 O781  關(guān)鍵詞： CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)   生長機(jī)理   缺陷  

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