Pt和Sb、S吸附原子修飾的Pt電極上正丙醇氧化的CV和EQCM研究

運用電化學循環伏安法和石英晶體微天平研究了正丙醇在Pt電極和以Sb、S吸附原子修飾的Pt(Pt/Sbad和Pt/Sad)電極上的吸附和氧化過程.從電極表面質量變化角度指出正丙醇的氧化與電極表面氧物種有著極其密切的關系.Pt電極表面Sb吸附原子能在較低的電位下吸附氧,可顯著提高正丙醇電催化氧化活性,與在Pt電極上相比較,正丙醇氧化的峰電位負移了0.29V,峰電流增加了近2倍.相反,Pt電極表面S吸附原子的氧化會消耗表面氧物種,飽和吸附S原子的Pt電極上正丙醇的電氧化受到抑制.本文從表面質量變化提供了吸附原子電催化作用的新數據.

作 者： 陳國良 林珩 鄭杏紅 陳聲培 孫世剛   作者單位： 陳國良,林珩,鄭杏紅(漳州師范學院化學系,漳州,363000)

陳聲培,孫世剛(廈門大學化學系,固體表面物理化學國家重點實驗室,廈門,361005) 

刊 名： 物理化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2002 18(2)  分類號： O646.54 O433  關鍵詞： 石英晶體微天平(EQCM)   Pt電極   修飾電極   正丙醇   循環伏安(CV)  

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