柔性ITO襯底電化學沉積制備Cu/Cu2O薄膜

研究了使用電化學沉積法于堿性條件下在柔性ITO襯底上制備Cu/Cu2O薄膜的方法.循環(huán)伏安曲線表明Cu2O與Cu的陰極峰分別位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近.利用循環(huán)伏安法考察了生長溫度和電解液pH值等對Cu2O與Cu陰極峰電位的影響,陰極峰隨生長溫度的升高以及pH值的降低而略向陽極移動,沉積電流也隨之相應增大.與弱酸性條件相比,上述兩個陰極峰隨pH值升高而移動的程度明顯減小,這可能與堿性條件下C3H6O電離程度增大以及C3H6O根作為配體的過量程度有關(guān).通過X射線衍射光譜和掃描電子顯微鏡的表征證實,在所研究的生長溫度區(qū)間和pH值內(nèi)可利用電化學沉積法在柔性ITO襯底上制備Cu/Cu2O納米混晶薄膜.在相同的生長溫度和pH條件下,電化學沉積電位對樣品表面形貌和晶體性質(zhì)具有較大影響.

作 者： 董林 馬瑩 李豪 賈曉林 DONG Lin MA Ying LI Hao JIA Xiao-lin   作者單位： 鄭州大學,材料科學與工程學院,河南,鄭州,450001  刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(5)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： Cu2O   電化學沉積   柔性襯底  

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