納米Hg2Cl2/Al2O3有序陣列體系的制備和表征

納米結構材料由于其獨特的物理化學性質以及在微電子器件、光開關等方面的應用而備受關注. 多孔氧化鋁由于具有孔徑分布較窄、取向一致和孔密度高等優(yōu)點而廣泛用于模板制備納米結構材料. 在多孔氧化鋁中可以組裝金屬納米粒子[1]、半導體納米粒子[2]、導電高分子[3]以及碳納米管[4]等.

作 者： 王銀海 牟季美 蔡維理 姚連增 劉艷美   作者單位： 王銀海,劉艷美(安徽大學物理系,合肥,230039)

牟季美,蔡維理,姚連增(中國科學技術大學材料科學與工程系,合肥,230026) 

刊 名： 高等學校化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2002 23(7)  分類號： O614.24 O612.7  關鍵詞： 模板合成   甘汞   有序陣列   電沉積  

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